1. Хоёр туйлт уулзвар транзисторууд (BJTs):
(1) Бүтэц:BJT нь суурь, ялгаруулагч, коллектор гэсэн гурван электродтой хагас дамжуулагч төхөөрөмж юм. Тэдгээрийг голчлон дохиог өсгөх эсвэл солиход ашигладаг. BJT нь коллектор ба ялгаруулагчийн хоорондох илүү их гүйдлийн урсгалыг хянахын тулд сууринд бага хэмжээний оролтын гүйдэл шаарддаг.
(2) BMS дахь функц: In BMSХэрэглээний хувьд BJT-ийг одоогийн олшруулах чадвардаа ашигладаг. Эдгээр нь систем доторх урсгалыг удирдах, зохицуулахад тусалдаг ба батерейг үр ашигтай, аюулгүйгээр цэнэглэж, цэнэггүй болгодог.
(3) Онцлогууд:BJT нь гүйдлийн өндөр өсөлттэй бөгөөд нарийн гүйдлийн хяналт шаарддаг хэрэглээнд маш үр дүнтэй байдаг. Тэд ерөнхийдөө дулааны нөхцөлд илүү мэдрэмтгий байдаг бөгөөд MOSFET-тэй харьцуулахад илүү их эрчим хүчний алдагдалд өртдөг.
2. Металл-оксид-хагас дамжуулагч талбайн нөлөөллийн транзисторууд (MOSFETs):
(1) Бүтэц:MOSFET нь хаалга, эх үүсвэр, ус зайлуулах гэсэн гурван терминал бүхий хагас дамжуулагч төхөөрөмж юм. Эдгээр нь эх үүсвэр ба ус зайлуулах суваг хоорондын гүйдлийн урсгалыг хянахын тулд хүчдэлийг ашигладаг бөгөөд энэ нь програмуудыг солиход өндөр үр ашигтай болгодог.
(2)-д ажиллахBMS:BMS програмуудад MOSFET-ийг ихэвчлэн үр ашигтай сэлгэн залгах чадвараараа ашигладаг. Тэд хурдан асааж, унтрааж, гүйдлийн урсгалыг хамгийн бага эсэргүүцэл, эрчим хүчний алдагдалтайгаар удирдаж чаддаг. Энэ нь батерейг хэт цэнэглэх, хэт цэнэглэх, богино холболтоос хамгаалахад тохиромжтой.
(3) Онцлогууд:MOSFET нь өндөр оролтын эсэргүүцэл, бага эсэргүүцэлтэй тул BJT-тэй харьцуулахад бага дулаан ялгаруулдаг. Эдгээр нь BMS доторх өндөр хурдтай, өндөр үр ашигтай шилжих програмуудад ялангуяа тохиромжтой.
Дүгнэлт:
- BJTsӨндөр гүйдлийн өсөлтөөс шалтгаалан гүйдлийн нарийн хяналт шаарддаг програмуудад илүү тохиромжтой.
- MOSFETsбага дулаан ялгаруулалттай, үр ашигтай, хурдан солиход илүүд үздэг тул батерейны ажиллагааг хамгаалах, удирдахад тохиромжтой.BMS.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 7-р сарын 13
